|
Informācija par projektu |
Zinātniskā atskaite 01.03.2017-25.08.2017. Zinātniskā atskaite 26.08.2017-31.10.2017. Zinātniskā atskaite 01.11.2017.-31.01.2018. Zinātniskā atskaite 01.02.2018.-30.04.2018. Projekta nosaukums: «Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem» Vienošanās par projekta īstenošanu numurs: 1.1.1.1/16/A/203 RTU PVS ID: 2601 Projekta īstenotājs: Rīgas Tehniskās universitātes Mašīnzinību, transporta un aeronautikas fakultātes Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūts Projekta administrētājs: Rīgas Tehniskās universitātes Projektu pārvaldības departamenta Projektu īstenošanas un uzraudzības nodaļa Partneri:
Darbības programma un pasākums: Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.1.1. specifiskā atbalsta mērķa "Palielināt Latvijas zinātnisko institūciju pētniecisko un inovatīvo kapacitāti un spēju piesaistīt ārējo finansējumu, ieguldot cilvēkresursos un infrastruktūrā" 1.1.1.1. pasākuma "Praktiskas ievirzes pētījumi" 1.kārta Projekta īstenošanas periods: 01.03.2017.–29.02.2020. (36 mēneši) Projekta finansējums: 648 605,05 EUR, tai skaitā 551 314.29 EUR ERAF finansējums un 48 645,38 EUR valsts budžeta finansējums Projekta mērķis: apvienot speciālistus no industrijas un zinātnes kopīgā pētījumā veikšanai un, iegūstot jaunas zināšanas, izstrādāt nanokondensatora dielektrisko slāņu izgatavošanas tehnoloģiju, kas ir inovatīva un samazina nanokondensatora ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicināt Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību. Projekta kopsavilkums.
Nanokondensatoru (NC) ražošanas tirgus strauji attīstās un uzturēs savu attīstības tempu vismaz nākamus 10 gadus. Pieaug pieprasījums pēc termiski stabiliem un noturīgiem pret starojumu NC. NC izgatavošanai plaši izmanto uz silīcija balstītas tehnoloģijas. Latvijas ražotāju ienākšana NC ražošanas tirgū var palielināt Latvijas ekonomikas apgrozījumu par vismaz 0.23-10 MEUR katras 3-4 nedēļas. NC dielektrisko slāni visbiežāk iegūst, saliekot kopā vairākus Si3N4 (N) nanoslāņus, un ieskauj tos no abām pusēm ar SiO2 (O), iegūstot ON…NO struktūru. N…N slāņus iegūst vairākos tehnoloģiskos reaktoros. NC ražošanas izmaksas var samazināt, iegūstot N…N slāņus vienā reaktorā.
Tiks īstenots nesaimniecisks sadarbības projekts, kura ietvaros tiks veikts rūpniecisks pētījums ar darbībām:
Sagaidāmais rezultāts
Projekta īstenošanas vieta: Paula Valdena iela 1, Rīga
© Rīgas Tehniskā universitāte, 2017 |
|
Pēdējās izmaiņas 10.03.2017. |